投资者：董秘先生您好，请问贵公司研发的lpe制备工艺的缺陷等级较目前pvt制备法的衬底是否有提升或者是否能达到目前行业的主流水平？

　　天岳先进董秘：尊敬的投资者，您好！生产碳化硅单晶衬底的关键步骤是单晶的生长，也是碳化硅半导体材料应用的主要技术难点，是产业链中技术密集型和资金密集型的环节。PVT法是目前规模化碳化硅晶体生长方法。而液相SiC长晶技术具有多个优势，包括晶体质量高、成本低等，近年来受到高度关注。目前液相法尚未实现产业化大规模生产。公司积极探索和布局前瞻性技术，包括长晶工艺方面的液相法（LPE法）工艺。在2023Semicon论坛上，公司首席技术官高超博士报告了公司核心技术及前瞻性研发情况，通过液相法制备出了低缺陷密度的8英寸晶体，属于业内首创，也代表了公司领先的技术实力。公司突破了包括晶体生长溶液设计、晶体生长热场设计、晶体生长界面控制等诸多技术瓶颈问题。公司是国际上少数几个自主掌握碳化硅衬底制备核心关键技术能够实现规模化生产的企业之一，特别是具备突出的产业化经验。公司近年来研发投入较大，研发与规模化生产形成良好的正循环积累，一方面公司工程化试验数据为技术和良率的持续改进提供了关键支持，也是产品质量领先的关键因素；另一方面，碳化硅衬底制备具有较高的技术壁垒，同时技术发展日新月异，这都有助于提高衬底质量、降低衬底成本、推动碳化硅半导体材料和技术的加快渗透应用。未来，公司将持续加大研发力度，不断瓶颈，加快产品创新，巩固和提升公司在行业中的领先地位。谢谢您的关注！

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