氮化镓（GaN）是最具代表性的第三代半导体材料之一，禁带宽度达到3.4eV。更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更高的电子饱和速率及更优的抗辐照能力，使得其在功率器件、射频器件、光电器件领域大有作为。随着5G通信、消费电子、新能源汽车、数据中心等高景气度下游逐步提出更高性能要求，有望放量提价。

　　目前GaN单晶衬底以2-3英寸为主，4英寸已实现商用，6英寸样本正开发。GaN体单晶衬底的主要方法有氢化物气相外延法、氨热法，以及助熔剂法；利用各生长方法优势互补有望解决单一生长方法存在的问题，进而提升GaN晶体质量、降低成本及推动规模量产。

　　GaN是目前能同时实现高频、高效、大功率的代表性器件，在5G基站、新能源充电桩等新基建代表中均有所应用。GaN器件是支撑“新基建”建设的关键核心部件，有助于“双碳”目标实现，推动绿色低碳发展。

　　2017年-2021年国内GaN功率器件与射频器件市场规模从9.2亿元/12.1亿元增长至17.6亿元/73.3亿元，CAGR分别为17.6%和56.9%。未来，随着新基建、新能源、新消费等领域的持续推进，GaN器件在国内市场的应用呈现出快速增长的态势。

　　随着国家政策的推动和市场的需求，GaN器件在5G基站、数据中心有望集中放量，稳定增长。2021年我国5G基站用GaN射频规模36.8亿元。2023年以后，毫米波基站部署将成为拉动市场的主要力量，带动国内GaN微波射频器件市场规模成倍数增长。

　　GaN器件在“快充”场景引领下，有望随中国经济的复苏和消费电子巨大的存量市场而不断破圈。根据Yole预测，2020年全球GaN功率市场规模约为4600万美元，预计2026年可达11亿美元，2020-2026年CAGR有望达到70%。

　　产品研发速度、下游推广不及预期：相关高景气度下游增速放缓，渗透率不及预期：产能受限风险存在：供应链稳定性受脱钩影响较大。

　　证券之星估值分析提示太阳能盈利能力一般，未来营收成长性一般。综合基本面各维度看，股价合理。更多

　　证券之星估值分析提示浙商证券盈利能力良好，未来营收成长性一般。综合基本面各维度看，股价合理。更多

　　以上内容与证券之星立场无关。证券之星发布此内容的目的在于传播更多信息，证券之星对其观点、判断保持中立，不保证该内容（包括但不限于文字、数据及图表）全部或者部分内容的准确性、真实性、完整性、有效性、及时性、原创性等。相关内容不对各位读者构成任何投资建议，据此操作，风险自担。有风险，投资需谨慎。如对该内容存在异议，或发现违法及不良信息，请发送邮件至，我们将安排核实处理。