熟化锌(GaN) 是最具代表性的第三代半导体材料之一，禁带宽度达到 3.4eV。更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更高的电子饱和遗率及更优的抗辐照能力，使得其在功率器件、射频器件、光电器件领域大有作为。随着5G 通信、消费电子、新能源汽车、数据中心等高景气度下游逐步提出更高性能

　　要求，有望放量提价。熟化锦村底制备技术正不断突破，或成降本增效关键点目前 GaN 单晶村底以 2-3 英寸为主，4 英寸已实现商用，6英寸样本正开发。GaN 体单晶村底的主要方法有氢化物气相外延法、氧热法，以及助熔剂法:利用各生长方法优势互补有望解决单一生长方法存在的问题，进而提升 GaN 晶体质量、降低成本及推动规模量产。

　　射频电子领域、电力电子领域以及光电子领域为 GaN 主要应用方向GaN 是目前能同时实现高频、高效、大功率的代表性器件，在 5G 基站、新能源充电雄等新基建代表中均有所应用。GaN 器件是支撑“新基建”建设的关键核心部件，有助于“双碳”目标实现，推动绿色低碳发展。伴随下游新应用规模爆发，GaN 器件有望持续放量2017 年-2021年国内 GaN 功率器件与射频器件市场规模从 9.2 亿元/12.1亿元增长至17.6 亿元73.3 亿元，CAGR分别为17.6%和 56.9%。未来，随着新基建、新能源、新消费等领域的持续推进，GaN 器件在国内市场的应用呈现出快速增长的态势。

　　随着国掌政策的推动和市场的需求，GaN 器件在 5G 基站、数据中心有望集中放量，稳定增长。2021 年我国 5G 基站用 GaN 射频规模 36.8 亿元。2023 年以后，毫来波基站部署将成为拉动市场的主要力量，带动国内 GN 微波射频器件市场规模成倍数增长。

　　GaN 器件在“快充”场景引领下，有望随中国经济的复苏和消费电于巨大的存量市场而不断破圈。根据 Yole 预测，2020 年全球 GaN 功率市场规模约为 4600万美元，预计 2026 年可达 11 亿美元，2020-2026年 CAGR有望达到 70%。GaN 器件在太阳能逆变器、风力发电、新能源汽车等方面将随着技术不断进步陆续“上车”